SIS862DN-T1-GE3
SIS862DN-T1-GE3
Cikkszám:
SIS862DN-T1-GE3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
46667 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SIS862DN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az SIS862DN-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SIS862DN-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSIS862DN-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SIS862DN-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SIS862DN-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1320pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Részletes leírás:N-Channel 60V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások