SIS862DN-T1-GE3 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SIS862DN-T1-GE3, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SIS862DN-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SIS862DN-T1-GE3 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SIS862DN-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIS862DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 40A 1212
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46667 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIS862DN-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Andere Namen: | SIS862DN-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1320pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 60V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SIS862DN-T1-GE3
läst Nachrichten
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen