SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Cikkszám:
SIS892ADN-T1-GE3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
41228 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SIS892ADN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az SIS892ADN-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SIS892ADN-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSIS892ADN-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SIS892ADN-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás:Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SIS892ADN-T1-GE3CT
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:19.5nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Részletes leírás:N-Channel 100V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások