SI3445DV-T1-GE3
SI3445DV-T1-GE3
Cikkszám:
SI3445DV-T1-GE3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
54594 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SI3445DV-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az SI3445DV-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI3445DV-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI3445DV-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI3445DV-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-TSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Részletes leírás:P-Channel 8V 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások