SI3445DV-T1-GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI3445DV-T1-GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI3445DV-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI3445DV-T1-GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI3445DV-T1-GE3
- Part Number:
- SI3445DV-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 54594 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI3445DV-T1-GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 6-TSOP |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 2W (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 8V |
| Detailní popis: | P-Channel 8V 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI3445DV-T1-GE3
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy