Az EPC8010ENGR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az EPC8010ENGR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetEPC8010ENGRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon EPC8010ENGR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
EPC8010ENGR
- Cikkszám:
- EPC8010ENGR
- Gyártó:
- EPC
- Leírás:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 21384 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- EPC8010ENGR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 55pF @ 50V |
| Feszültségelosztás: | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technológia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Sorozat: | eGaN® |
| RoHS állapot: | Tray |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarizáció: | - |
| Más nevek: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | EPC8010ENGR |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| Kapacitásarány: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az EPC8010ENGR-hoz
Latest News
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket