EPC8010ENGR is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor EPC8010ENGR, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor EPC8010ENGR per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop EPC8010ENGR met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
EPC8010ENGR
- Onderdeel nummer:
- EPC8010ENGR
- Fabrikant:
- EPC
- Beschrijving:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Loodvrije status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- Voorraadhoeveelheid:
- 21384 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- EPC8010ENGR.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| Voltage - Test: | 55pF @ 50V |
| Voltage - Breakdown: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| RoHS Status: | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.7A (Ta) |
| Polarisatie: | - |
| Andere namen: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Temperatuur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | EPC8010ENGR |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | - |
| Beschrijving: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| capacitieve Ratio: | - |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor EPC8010ENGR
Latest Nieuws
- Het gerucht gaat dat Samsung en SK Hynix DDR3 hebben gestopt, en de promotie -citaat steeg met 20 %
- Melexis uitgebracht MLX90427: Line Control to New Choice, veilig, efficiënt en economisch
- Het financiële rapport van NXP en Ansonmei heeft aangekondigd en de prijs van koperen prijzen wordt overgedragen aan de IC -industrie
- Mels Micro Electronics heeft een nieuwe kantoren opgezet in Taiwan, China om bedrijfsgebied uit te breiden
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Het eerste kwartaal financieel rapport van de SEF Semiconductor (ST) neemt af en de vraag naar auto's is vertraagd
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Lokaal volwassen chipvolume, Samsung Nand Flash -geheugenproductiecapaciteit nabij belasting
- Vishay lanceert miniled verpakking Hoge helderheid Kleine blauwe en pure groene LED
- Ansonmei lanceerde een inductieve positie -sensor voor de industriële en transportmarkt
- Ruisa begint de oude fabriek om het stroomapparaat te vergroten, de aardbeving beïnvloedt DRAM -uitvoer mild
- Microchip maakt de productiecapaciteit van TSMC mogelijk en verhoogt de prijsstijgingen