EPC8010ENGR tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk EPC8010ENGR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk EPC8010ENGR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli EPC8010ENGR dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
EPC8010ENGR
- Nomor bagian:
- EPC8010ENGR
- Pabrikan:
- EPC
- Deskripsi:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 21384 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- EPC8010ENGR.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 55pF @ 50V |
| Tegangan - Breakdown: | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Seri: | eGaN® |
| Status RoHS: | Tray |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarisasi: | - |
| Nama lain: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Nomor Bagian Produsen: | EPC8010ENGR |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 0.48nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| kapasitansi Ratio: | - |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk EPC8010ENGR
Latest Berita
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0