Το STTH810G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH810G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH810G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH810G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH810G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH810G
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30179 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH810G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 8A |
| Τάσης - Ανάλυση: | D2PAK |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 85ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | STTH810G |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 5µA @ 1000V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 2V @ 8A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 1000V (1kV) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH810G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | Έρευνα |
|
STTH8BC065DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Έρευνα |
 |
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH806DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH80S06W | STMicroelectronics | DIODE TURBO2 600V 80A DO247 | Έρευνα |
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH8L02DDJFY-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT | Έρευνα |
 |
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH8BC060D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH806D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED