Το STTH810G-TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH810G-TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH810G-TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH810G-TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH810G-TR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH810G-TR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31166 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH810G-TR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 8A |
| Τάσης - Ανάλυση: | D2PAK |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Digi-Reel® |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Άλλα ονόματα: | 497-8054-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 85ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | STTH810G-TR |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 5µA @ 1000V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 2V @ 8A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 1000V (1kV) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH810G-TR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH810G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH8BC060D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | Έρευνα |
|
STTH806DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH8BC065DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH80S06W | STMicroelectronics | DIODE TURBO2 600V 80A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH8L06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH8L02DDJFY-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT | Έρευνα |
|
STTH806G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών