Το STTH810DI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH810DI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH810DI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH810DI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH810DI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH810DI
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22880 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH810DI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2V @ 8A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1000V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220Ins |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 85ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Αλλα ονόματα: | 497-5163-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 175°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1000V 8A Through Hole TO-220Ins |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 8A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | STTH810 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH810DI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH803D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH806TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB | Έρευνα |
|
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | Έρευνα |
 |
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH8BC060D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH80S06W | STMicroelectronics | DIODE TURBO2 600V 80A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH806DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH806G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | Έρευνα |
|
STTH810G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH806DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο