Το PSMN2R7-30PL,127 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PSMN2R7-30PL,127, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PSMN2R7-30PL,127 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PSMN2R7-30PL,127 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PSMN2R7-30PL,127
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PSMN2R7-30PL,127
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 30V TO220AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32544 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PSMN2R7-30PL,127.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.15V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220AB |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 15A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 170W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-4389 568-5235 568-5235-5 568-5235-5-ND 568-5235-ND 934064005127 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 3954pF @ 12V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 30V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PSMN2R7-30PL,127
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Έρευνα |
 |
PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R4-30MLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R6-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R8-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | Έρευνα |
 |
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R8-25MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
 |
PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R5-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R2-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R9-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R6-60PSQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο