Το PSMN2R2-40BS,118 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PSMN2R2-40BS,118, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PSMN2R2-40BS,118 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PSMN2R2-40BS,118 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PSMN2R2-40BS,118
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PSMN2R2-40BS,118
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22932 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PSMN2R2-40BS,118.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D2PAK |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 306W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Αλλα ονόματα: | 1727-7118-2 568-9488-2 568-9488-2-ND 934066325118 PSMN2R240BS118 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 8423pF @ 20V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 40V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 40V 100A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PSMN2R2-40BS,118
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R7-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO220AB | Έρευνα |
 |
PSMN2R1-60CSJ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V D2PAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R4-30MLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R6-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R1-40PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R5-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R6-60PSQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 | Έρευνα |
 |
PSMN2R0-60ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R2-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-60PSRQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-60PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών