Το PSMN2R1-40PLQ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PSMN2R1-40PLQ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PSMN2R1-40PLQ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PSMN2R1-40PLQ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PSMN2R1-40PLQ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PSMN2R1-40PLQ
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 40V 150A TO-220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 24853 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PSMN2R1-40PLQ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220AB |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 293W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-1055 568-10163-5 568-10163-5-ND 934067503127 PSMN2R140PLQ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 9584pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 87.8nC @ 5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 40V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 40V 150A (Tc) 293W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PSMN2R1-40PLQ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R5-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R4-30MLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R0-60PSRQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V TO220AB | Έρευνα |
 |
PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | Έρευνα |
|
PSMN2R0-60PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R2-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Έρευνα |
|
PSMN2R2-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R1-60CSJ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN2R0-60ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash