Το PSMN2R9-25YLC,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PSMN2R9-25YLC,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PSMN2R9-25YLC,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PSMN2R9-25YLC,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PSMN2R9-25YLC,115
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PSMN2R9-25YLC,115
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58777 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.PSMN2R9-25YLC,115.pdf2.PSMN2R9-25YLC,115.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 2083pF @ 12V |
| Τάσης - Ανάλυση: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.15 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100A (Tc) |
| Πόλωση: | SC-100, SOT-669 |
| Άλλα ονόματα: | 1727-5301-2 568-6731-2 568-6731-2-ND 934065202115 PSMN2R925YLC115 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | PSMN2R9-25YLC,115 |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 33nC @ 10V |
| IGBT Τύπος: | ±20V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 1.95V @ 1mA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 25V 100A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 25V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 92W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PSMN2R9-25YLC,115
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | Έρευνα |
 |
PSMN3R2-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN3R2-25YLC,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R6-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN3R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN2R9-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Έρευνα |
 |
PSMN3R0-60ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R8-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN2R8-25MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
PSMN2R6-60PSQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN2R7-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO220AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο