Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > PMDT290UCE,115
PMDT290UCE,115
PMDT290UCE,115
Αριθμός εξαρτήματος:
PMDT290UCE,115
Κατασκευαστής:
Nexperia
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
20947 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
PMDT290UCE,115.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το PMDT290UCE,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMDT290UCE,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMDT290UCE,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMDT290UCE,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-666
Σειρά:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Ισχύς - Max:500mW
Συσκευασία:Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-563, SOT-666
Αλλα ονόματα:1727-1332-6
568-10765-6
568-10765-6-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:13 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:83pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
FET Τύπος:N and P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:800mA, 550mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για PMDT290UCE,115

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
PMDPB70XP,115 Image PMDPB70XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN Έρευνα
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Έρευνα
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors Co., Ltd MOSFET AXIAL Έρευνα
PMDXB550UNEZ Image PMDXB550UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Έρευνα
PMDPB95XNE,115 Image PMDPB95XNE,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 Έρευνα
PMDPB58UPE,115 Image PMDPB58UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 Έρευνα
PMDXB1200UPEZ Image PMDXB1200UPEZ Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN Έρευνα
PMDT670UPE,115 Image PMDT670UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 Έρευνα
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Έρευνα
PMDT290UNEYL Nexperia PMDT290UNE/SOT666/SOT6 Έρευνα
PMDXB950UPELZ Image PMDXB950UPELZ Nexperia 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF Έρευνα
PMDPB80XP,115 Image PMDPB80XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 Έρευνα
PMDXB600UNELZ Image PMDXB600UNELZ Nexperia 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF Έρευνα
PMDPB70XPE,115 Image PMDPB70XPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Έρευνα
PMDXB950UPE Image PMDXB950UPE Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Έρευνα
PMDPB85UPE,115 Image PMDPB85UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON Έρευνα
PMDT290UNE,115 Image PMDT290UNE,115 Nexperia MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Έρευνα
PMDPB95XNE2X Image PMDPB95XNE2X Nexperia MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON Έρευνα
PMDPB65UP,115 Image PMDPB65UP,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 Έρευνα
PMDPB70EN,115 Image PMDPB70EN,115 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN Έρευνα

Latest Ειδήσεις