русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > PMDT290UCE,115
PMDT290UCE,115
PMDT290UCE,115
Тип продуктов:
PMDT290UCE,115
производитель:
Nexperia
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
20947 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
PMDT290UCE,115.pdf
запрос

Введение

PMDT290UCE,115 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для PMDT290UCE,115, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для PMDT290UCE,115 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить PMDT290UCE,115 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства:SOT-666
Серии:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Мощность - Макс:500mW
упаковка:Original-Reel®
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Другие названия:1727-1332-6
568-10765-6
568-10765-6-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:13 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:83pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
Тип FET:N and P-Channel
FET Характеристика:Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:800mA, 550mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для PMDT290UCE,115

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
PMDPB70XP,115 Image PMDPB70XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN запрос
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN запрос
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors Co., Ltd MOSFET AXIAL запрос
PMDXB550UNEZ Image PMDXB550UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN запрос
PMDPB95XNE,115 Image PMDPB95XNE,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 запрос
PMDPB58UPE,115 Image PMDPB58UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 запрос
PMDXB1200UPEZ Image PMDXB1200UPEZ Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN запрос
PMDT670UPE,115 Image PMDT670UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 запрос
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN запрос
PMDT290UNEYL Nexperia PMDT290UNE/SOT666/SOT6 запрос
PMDXB950UPELZ Image PMDXB950UPELZ Nexperia 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF запрос
PMDPB80XP,115 Image PMDPB80XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 запрос
PMDXB600UNELZ Image PMDXB600UNELZ Nexperia 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF запрос
PMDPB70XPE,115 Image PMDPB70XPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON запрос
PMDXB950UPE Image PMDXB950UPE Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN запрос
PMDPB85UPE,115 Image PMDPB85UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON запрос
PMDT290UNE,115 Image PMDT290UNE,115 Nexperia MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 запрос
PMDPB95XNE2X Image PMDPB95XNE2X Nexperia MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON запрос
PMDPB65UP,115 Image PMDPB65UP,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 запрос
PMDPB70EN,115 Image PMDPB70EN,115 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN запрос

Latest Новости