Το PMDPB85UPE,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMDPB85UPE,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMDPB85UPE,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMDPB85UPE,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMDPB85UPE,115
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMDPB85UPE,115
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46767 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMDPB85UPE,115.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-HUSON-EP (2x2) |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Ισχύς - Max: | 515mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-1239-2 568-10444-2 568-10444-2-ND 934066843115 PMDPB85UPE,115-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 514pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 8.1nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 20V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 515mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMDPB85UPE,115
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDT670UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | Έρευνα |
 |
PMDPB70EN,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDPB95XNE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | Έρευνα |
 |
PMDT290UNEYL | Nexperia | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 | Έρευνα |
|
PMDPB70XPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDPB58UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | Έρευνα |
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | Έρευνα |
|
PMDXB1200UPEZ | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDPB56XNEAX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 | Έρευνα |
|
PMDPB56XN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | Έρευνα |
|
PMDPB80XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 | Έρευνα |
|
PMDT290UCE,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | Έρευνα |
|
PMDXB600UNELZ | Nexperia | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | Έρευνα |
 |
PMDPB760ENX | WeEn Semiconductors Co., Ltd | MOSFET AXIAL | Έρευνα |
|
PMDPB95XNE2X | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PMDPB70XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDT290UNE,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | Έρευνα |
|
PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο