Το PMDXB1200UPEZ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMDXB1200UPEZ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMDXB1200UPEZ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMDXB1200UPEZ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMDXB1200UPEZ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMDXB1200UPEZ
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38630 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMDXB1200UPEZ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1010B-6 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Ισχύς - Max: | 285mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2276-2 568-12562-2 568-12562-2-ND 934069327147 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 43.2pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 410mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 410mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMDXB1200UPEZ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMDT290UNEYL | Nexperia | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 | Έρευνα |
 |
PMDPB95XNE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | Έρευνα |
 |
PMDPB760ENX | WeEn Semiconductors Co., Ltd | MOSFET AXIAL | Έρευνα |
|
PMDXB950UPEZ | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMDT290UCE,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | Έρευνα |
|
PMDXB600UNELZ | Nexperia | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | Έρευνα |
|
PMDPB85UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON | Έρευνα |
|
PMDPB80XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 | Έρευνα |
|
PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDPB70EN,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDPB70XPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | Έρευνα |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMDPB70XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDXB600UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Έρευνα |
|
PMDT290UNE,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | Έρευνα |
|
PMDPB95XNE2X | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON | Έρευνα |
|
PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Έρευνα |
|
PMDT670UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | Έρευνα |
|
PMDXB950UPELZ | Nexperia | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS