Το IXFE48N50Q είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFE48N50Q, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFE48N50Q μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFE48N50Q με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFE48N50Q
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFE48N50Q
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59819 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFE48N50Q.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-227B |
| Σειρά: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 24A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 400W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 7000pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 500V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 500V 41A (Tc) 400W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFE48N50Q
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFE44N50QD2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE55N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE34N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227 | Έρευνα |
|
IXFE50N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE23N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 | Έρευνα |
|
IXFE80N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B | Έρευνα |
 |
IXFH100N30X3 | IXYS Corporation | 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Έρευνα |
|
IXFE24N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 | Έρευνα |
|
IXFE44N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFH100N25P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 | Έρευνα |
|
IXFE44N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE44N50QD3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE48N50QD2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE36N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 | Έρευνα |
|
IXFE39N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 | Έρευνα |
 |
IXFF24N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC | Έρευνα |
|
IXFE48N50QD3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFE180N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 | Έρευνα |
|
IXFG55N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 | Έρευνα |
|
IXFE73N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί