Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFH100N30X3
IXFH100N30X3
IXFH100N30X3
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH100N30X3
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
52254 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFH100N30X3.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFH100N30X3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFH100N30X3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFH100N30X3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFH100N30X3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 50A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):480W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:7.66nF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:122nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):300V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 300V 100A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFH100N30X3

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFH11N80 Image IXFH11N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD Έρευνα
IXFE80N50 Image IXFE80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B Έρευνα
IXFF24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC Έρευνα
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Έρευνα
IXFG55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 Έρευνα
IXFE55N50 Image IXFE55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B Έρευνα
IXFE48N50Q Image IXFE48N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Έρευνα
IXFH10N90 Image IXFH10N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD Έρευνα
IXFH10N100 Image IXFH10N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Έρευνα
IXFE50N50 Image IXFE50N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B Έρευνα
IXFH110N15T2 Image IXFH110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 Έρευνα
IXFH110N10P Image IXFH110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 Έρευνα
IXFE48N50QD2 Image IXFE48N50QD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Έρευνα
IXFE73N30Q Image IXFE73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Έρευνα
IXFH10N80P Image IXFH10N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Έρευνα
IXFE48N50QD3 Image IXFE48N50QD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Έρευνα
IXFH10N100Q Image IXFH10N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD Έρευνα
IXFH100N25P Image IXFH100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 Έρευνα
IXFH110N25T Image IXFH110N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 Έρευνα
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις