Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFE48N50Q
IXFE48N50Q
IXFE48N50Q
Modèle de produit:
IXFE48N50Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
59819 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFE48N50Q.pdf
Enquête

introduction

IXFE48N50Q est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFE48N50Q, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFE48N50Q par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFE48N50Q avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max):400W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:190nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 41A (Tc) 400W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:41A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFE48N50Q

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFE44N50QD2 Image IXFE44N50QD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Enquête
IXFE55N50 Image IXFE55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B Enquête
IXFE34N100 Image IXFE34N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227 Enquête
IXFE50N50 Image IXFE50N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B Enquête
IXFE23N100 Image IXFE23N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 Enquête
IXFE80N50 Image IXFE80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B Enquête
IXFH100N30X3 Image IXFH100N30X3 IXYS Corporation 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFE24N100 Image IXFE24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 Enquête
IXFE44N50Q Image IXFE44N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Enquête
IXFH100N25P Image IXFH100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 Enquête
IXFE44N60 Image IXFE44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B Enquête
IXFE44N50QD3 Image IXFE44N50QD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Enquête
IXFE48N50QD2 Image IXFE48N50QD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Enquête
IXFE36N100 Image IXFE36N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 Enquête
IXFE39N90 Image IXFE39N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 Enquête
IXFF24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC Enquête
IXFE48N50QD3 Image IXFE48N50QD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Enquête
IXFE180N20 Image IXFE180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 Enquête
IXFG55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 Enquête
IXFE73N30Q Image IXFE73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Enquête

Latest Nouvelles