Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFG55N50
IXFG55N50
Modèle de produit:
IXFG55N50
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
40061 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFG55N50.pdf
Enquête

introduction

IXFG55N50 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFG55N50, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFG55N50 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFG55N50 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISO264™
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):400W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:ISO264™
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 48A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISO264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFG55N50

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFE48N50QD2 Image IXFE48N50QD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Enquête
IXFH10N100Q Image IXFH10N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD Enquête
IXFH100N25P Image IXFH100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 Enquête
IXFE55N50 Image IXFE55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B Enquête
IXFE44N60 Image IXFE44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B Enquête
IXFE73N30Q Image IXFE73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Enquête
IXFE80N50 Image IXFE80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B Enquête
IXFE48N50Q Image IXFE48N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Enquête
IXFH100N30X3 Image IXFH100N30X3 IXYS Corporation 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 Enquête
IXFH110N10P Image IXFH110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 Enquête
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Enquête
IXFE48N50QD3 Image IXFE48N50QD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Enquête
IXFE44N50QD3 Image IXFE44N50QD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Enquête
IXFH110N15T2 Image IXFH110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 Enquête
IXFH10N80P Image IXFH10N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Enquête
IXFH10N90 Image IXFH10N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD Enquête
IXFE50N50 Image IXFE50N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B Enquête
IXFH10N100 Image IXFH10N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Enquête
IXFF24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC Enquête

Latest Nouvelles