Το DSK5J01Q0L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSK5J01Q0L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSK5J01Q0L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSK5J01Q0L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSK5J01Q0L
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSK5J01Q0L
- Κατασκευαστής:
- Panasonic
- Περιγραφή:
- JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21084 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSK5J01Q0L.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - αποκοπής (VGS εκτός) @ Id: | 5V @ 10µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SMini3-F2-B |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 150mW |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-85 |
| Αλλα ονόματα: | DSK5J01Q0LDKR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 6pF @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 55V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | JFET N-Channel 30mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B |
| Ρεύμα διαρροής (Id) - Max: | 30mA |
| Τρέχουσες - αποστράγγισης (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 2mA @ 10V |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DSK5J01 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSK5J01Q0L
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK2593JQL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 | Έρευνα |
 |
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
 |
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
 |
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
MMBF4392 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23 | Έρευνα |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Έρευνα |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS