DSK5J01Q0L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSK5J01Q0L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSK5J01Q0L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSK5J01Q0L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSK5J01Q0L
- رقم القطعة:
- DSK5J01Q0L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21084 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSK5J01Q0L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 5V @ 10µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMini3-F2-B |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SC-85 |
| اسماء اخرى: | DSK5J01Q0LDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6pF @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 30mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B |
| الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى: | 30mA |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 2mA @ 10V |
| رقم جزء القاعدة: | DSK5J01 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSK5J01Q0L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK2593JQL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 | تحقيق |
 |
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
 |
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
 |
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
MMBF4392 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23 | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | تحقيق |
|
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | تحقيق |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل