Το DSK-3R3H204T614-H2L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSK-3R3H204T614-H2L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSK-3R3H204T614-H2L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSK-3R3H204T614-H2L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSK-3R3H204T614-H2L
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSK-3R3H204T614-H2L
- Κατασκευαστής:
- Elna America
- Περιγραφή:
- CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 20675 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSK-3R3H204T614-H2L.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 3.3V |
| Ανοχή: | -20%, +80% |
| Λήξη: | SMD (SMT) Tabs |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.268" Dia (6.80mm) |
| Σειρά: | DSK |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Coin, Wide Terminals - Opposite Sides |
| Αλλα ονόματα: | 604-1147-2 DSK3R3H204T614H2L |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -10°C ~ 60°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 1000 Hrs @ 60°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 200 Ohm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 200mF (EDLC) Supercapacitor 3.3V Coin, Wide Terminals - Opposite Sides 200 Ohm 1000 Hrs @ 60°C |
| χωρητικότητα: | 200mF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSK-3R3H204T614-H2L
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
 |
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
MAL219622474E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | CAP 470MF -20%, +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Έρευνα |
|
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Έρευνα |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
JJC0E826MELA | Nichicon | CAP 82F 20% 2.5V THROUGH HOLE | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό