Το DSK10E-BT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSK10E-BT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSK10E-BT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSK10E-BT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSK10E-BT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSK10E-BT
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35792 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSK10E-BT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1A |
| Τάσης - Ανάλυση: | - |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | R-1 (Axial) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | DSK10E-BT |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 400V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.1V @ 1A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSK10E-BT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
 |
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Έρευνα |
 |
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
RFUH10NS4SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | Έρευνα |
 |
SCS212AMC | LAPIS Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220FM | Έρευνα |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Έρευνα |
 |
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
|
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU