DSK10E-BT está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para DSK10E-BT, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para DSK10E-BT por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre DSK10E-BT con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
DSK10E-BT
- Número de pieza:
- DSK10E-BT
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35792 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- DSK10E-BT.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A |
| Tensión - Desglose: | - |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | R-1 (Axial) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DSK10E-BT |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| configuración de diodo: | 10µA @ 400V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.1V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 400V |
| Capacitancia Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DSK10E-BT
Latest Noticias
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo