Το BLF6G10-45,135 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF6G10-45,135, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF6G10-45,135 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF6G10-45,135 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF6G10-45,135
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF6G10-45,135
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28805 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF6G10-45,135.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | CDFM2 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 1W |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-608A |
| Αλλα ονόματα: | 568-12772-1 |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 22.5dB |
| Συχνότητα: | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 28V 350mA 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 1W CDFM2 |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 13A |
| Τρέχουσες - Test: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G10-45,135
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
 |
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF647PSJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
 |
BLF647,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | Έρευνα |
 |
BLF647P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | Έρευνα |
|
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | Έρευνα |
|
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF6G10-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
|
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | Έρευνα |
|
BLF6G10L-260PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS