Το BLF6G10LS-135RN:11 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF6G10LS-135RN:11, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF6G10LS-135RN:11 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF6G10LS-135RN:11 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF6G10LS-135RN:11
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF6G10LS-135RN:11
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57945 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF6G10LS-135RN:11.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT502B |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 26.5W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-502B |
| Αλλα ονόματα: | 568-8636 934063207112 BLF6G10LS-135RN:11-ND BLF6G10LS135RN11 |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 21dB |
| Συχνότητα: | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 32A |
| Τρέχουσες - Test: | 950mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BLF6G10 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G10LS-135RN:11
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10LS-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-160RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
 |
BLF6G10-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-200R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-160RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-200R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS