BLF6G10-45,135 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BLF6G10-45,135 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BLF6G10-45,135 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF6G10-45,135 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BLF6G10-45,135
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BLF6G10-45,135
- ผู้ผลิต:
- Ampleon
- ลักษณะ:
- RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28805 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BLF6G10-45,135.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | CDFM2 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-608A |
| ชื่ออื่น: | 568-12772-1 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 22.5dB |
| ความถี่: | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet LDMOS 28V 350mA 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 1W CDFM2 |
| พิกัดกระแส: | 13A |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF6G10-45,135
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | การสอบสวน |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | การสอบสวน |
 |
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF647PSJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | การสอบสวน |
|
BLF6G10LS-135RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | การสอบสวน |
 |
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | การสอบสวน |
 |
BLF647,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | การสอบสวน |
 |
BLF647P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | การสอบสวน |
|
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | การสอบสวน |
|
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | การสอบสวน |
|
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | การสอบสวน |
 |
BLF6G10-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | การสอบสวน |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | การสอบสวน |
|
BLF6G10LS-135R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | การสอบสวน |
|
BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | การสอบสวน |
|
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | การสอบสวน |
|
BLF6G10L-260PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS