Το BLF6G10-160RN,112 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF6G10-160RN,112, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF6G10-160RN,112 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF6G10-160RN,112 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF6G10-160RN,112
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF6G10-160RN,112
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27079 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF6G10-160RN,112.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 32V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | LDMOST |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 32W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-502A |
| Αλλα ονόματα: | 568-8635 934063281112 BLF6G10-160RN,112-ND |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 22.5dB |
| Συχνότητα: | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W LDMOST |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 39A |
| Τρέχουσες - Test: | 1.2A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BLF6G10 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G10-160RN,112
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | Έρευνα |
|
BLF6G10-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | Έρευνα |
 |
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF647,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | Έρευνα |
 |
BLF647PSJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
 |
BLF647P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Έρευνα |
|
BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | Έρευνα |
 |
BLF644PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | Έρευνα |
|
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | Έρευνα |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF642,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | Έρευνα |
|
BLF645,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | Έρευνα |
|
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο