Το APTMC120AM12CT3AG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTMC120AM12CT3AG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTMC120AM12CT3AG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTMC120AM12CT3AG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTMC120AM12CT3AG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTMC120AM12CT3AG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31593 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTMC120AM12CT3AG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP3 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 150A, 20V |
| Ισχύς - Max: | 925W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 8400pF @ 1000V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 483nC @ 20V |
| FET Τύπος: | 2 N Channel (Phase Leg) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Silicon Carbide (SiC) |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 925W Chassis Mount SP3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 220A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTMC120AM12CT3AG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTMC120HM17CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Έρευνα |
|
APTMC120HR11CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Έρευνα |
 |
APTMC120AM25CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F | Έρευνα |
|
APTM60A23FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | Έρευνα |
|
APTMC120HRM40CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Έρευνα |
 |
APTMC120AM08CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | Έρευνα |
|
APTMC120AM20CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 | Έρευνα |
|
APTMC120AM09CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F | Έρευνα |
|
APTM60A11FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | Έρευνα |
|
APTM50UM19SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A J3 | Έρευνα |
|
APTM50UM13SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 335A SP6 | Έρευνα |
 |
APTMC120AM55CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM50TDUM65PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | Έρευνα |
|
APTMC120TAM12CTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P | Έρευνα |
 |
APTMC120AM16CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | Έρευνα |
|
APTM60H23FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | Έρευνα |
|
APTMC120HR11CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F | Έρευνα |
|
APTMC120HRM40CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SP3F | Έρευνα |
 |
APTM50UM09FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 497A SP6 | Έρευνα |
|
APTM50UM25SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 149A J3 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED