APTMC120AM55CT1AG
APTMC120AM55CT1AG
Αριθμός εξαρτήματος:
APTMC120AM55CT1AG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
51953 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APTMC120AM55CT1AG.pdf

Εισαγωγή

Το APTMC120AM55CT1AG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTMC120AM55CT1AG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTMC120AM55CT1AG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTMC120AM55CT1AG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 2mA (Typ)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SP1
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:49 mOhm @ 40A, 20V
Ισχύς - Max:250W
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:SP1
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 1000V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:98nC @ 20V
FET Τύπος:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Χαρακτηριστικό:Silicon Carbide (SiC)
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1200V (1.2kV)
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις