Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT150GN60B2G
APT150GN60B2G
APT150GN60B2G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT150GN60B2G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 220A 536W SOT227
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
26929 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT150GN60B2G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT150GN60B2G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT150GN60B2G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT150GN60B2G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT150GN60B2G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 150A
Test Condition:400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:44ns/430ns
εναλλαγή Ενέργειας:8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Σειρά:-
Ισχύς - Max:536W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:18 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:Trench Field Stop
πύλη Χρέωση:970nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):450A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):220A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT150GN60B2G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT15D100BCTG Image APT15D100BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Έρευνα
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα
APT15D100BG Image APT15D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 Έρευνα
APT150GN60LDQ4G Image APT150GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 220A 536W TO-264L Έρευνα
APT150GN60JDQ4 Image APT150GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Έρευνα
APT150GN60J Image APT150GN60J Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Έρευνα
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 Έρευνα
APT14050JVFR Image APT14050JVFR Microsemi MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 Έρευνα
APT150GT120JR Image APT150GT120JR Microsemi IGBT 1200V 170A 830W SOT227 Έρευνα
APT15D120BG Image APT15D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 Έρευνα
APT15D100KG Image APT15D100KG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 Έρευνα
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT13GP120BG Image APT13GP120BG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 Έρευνα
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Έρευνα
APT15D100BHBG Image APT15D100BHBG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Έρευνα
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT15D120BCTG Image APT15D120BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις