Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT14M100S
APT14M100S
APT14M100S
Αριθμός εξαρτήματος:
APT14M100S
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
35089 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT14M100S.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT14M100S είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT14M100S, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT14M100S μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT14M100S με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D3Pak
Σειρά:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:880 mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):500W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:3965pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:120nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT14M100S

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT150GT120JR Image APT150GT120JR Microsemi IGBT 1200V 170A 830W SOT227 Έρευνα
APT15D100BCTG Image APT15D100BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Έρευνα
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Έρευνα
APT15D100BG Image APT15D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 Έρευνα
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT13F120B Image APT13F120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Έρευνα
APT150GN60LDQ4G Image APT150GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 220A 536W TO-264L Έρευνα
APT130SM70J Image APT130SM70J Microsemi MOSFET N-CH 700V SOT227 Έρευνα
APT14050JVFR Image APT14050JVFR Microsemi MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 Έρευνα
APT150GN60JDQ4 Image APT150GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Έρευνα
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 Έρευνα
APT13GP120BDQ1G Image APT13GP120BDQ1G Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 Έρευνα
APT13F120S Image APT13F120S Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK Έρευνα
APT13GP120BG Image APT13GP120BG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 Έρευνα
APT150GN60B2G Image APT150GN60B2G Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Έρευνα
APT150GN60J Image APT150GN60J Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Έρευνα
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα

Latest Ειδήσεις