Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT13GP120BDQ1G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 1200V 41A 250W TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
56008 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT13GP120BDQ1G.pdf2.APT13GP120BDQ1G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT13GP120BDQ1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT13GP120BDQ1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT13GP120BDQ1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT13GP120BDQ1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 13A
Test Condition:600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:9ns/28ns
εναλλαγή Ενέργειας:115µJ (on), 165µJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247 [B]
Σειρά:POWER MOS 7®
Ισχύς - Max:250W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Αλλα ονόματα:APT13GP120BDQ1GMI
APT13GP120BDQ1GMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:55nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):50A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):41A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT13GP120BDQ1G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT13005STF-G1 Image APT13005STF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO220 Έρευνα
APT130SM70J Image APT130SM70J Microsemi MOSFET N-CH 700V SOT227 Έρευνα
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα
APT13005T-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220AB Έρευνα
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT13005SU-G1 Image APT13005SU-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO126 Έρευνα
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Έρευνα
APT13005DTF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A Έρευνα
APT13005SI-G1 Image APT13005SI-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO251 Έρευνα
APT13F120B Image APT13F120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Έρευνα
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT13F120S Image APT13F120S Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK Έρευνα
APT14050JVFR Image APT14050JVFR Microsemi MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 Έρευνα
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Έρευνα
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 Έρευνα
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Έρευνα
APT130SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Έρευνα
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220-3 Έρευνα
APT13GP120BG Image APT13GP120BG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις