العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G
رقم القطعة:
APT13GP120BDQ1G
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 1200V 41A 250W TO247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
56008 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT13GP120BDQ1G.pdf2.APT13GP120BDQ1G.pdf
تحقيق

المقدمة

APT13GP120BDQ1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT13GP120BDQ1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT13GP120BDQ1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT13GP120BDQ1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3.9V @ 15V, 13A
اختبار حالة:600V, 13A, 5 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:9ns/28ns
تحويل الطاقة:115µJ (on), 165µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:POWER MOS 7®
السلطة - ماكس:250W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:APT13GP120BDQ1GMI
APT13GP120BDQ1GMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:PT
بوابة المسؤول:55nC
وصف تفصيلي:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):50A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):41A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT13GP120BDQ1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT13005STF-G1 Image APT13005STF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO220 تحقيق
APT130SM70J Image APT130SM70J Microsemi MOSFET N-CH 700V SOT227 تحقيق
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK تحقيق
APT13005T-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220AB تحقيق
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 تحقيق
APT13005SU-G1 Image APT13005SU-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO126 تحقيق
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 تحقيق
APT13005DTF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A تحقيق
APT13005SI-G1 Image APT13005SI-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO251 تحقيق
APT13F120B Image APT13F120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 تحقيق
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 تحقيق
APT13F120S Image APT13F120S Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK تحقيق
APT14050JVFR Image APT14050JVFR Microsemi MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 تحقيق
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK تحقيق
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 تحقيق
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 تحقيق
APT130SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 تحقيق
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 تحقيق
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220-3 تحقيق
APT13GP120BG Image APT13GP120BG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 تحقيق

Latest الأخبار