APT150GN60B2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT150GN60B2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT150GN60B2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT150GN60B2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT150GN60B2G
- رقم القطعة:
- APT150GN60B2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 220A 536W SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26929 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT150GN60B2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.85V @ 15V, 150A |
| اختبار حالة: | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 44ns/430ns |
| تحويل الطاقة: | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 536W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 970nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 450A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 220A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT150GN60B2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT15D100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT14M100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
 |
APT15D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | تحقيق |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
|
APT150GN60J | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
|
APT14M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT13GP120KG | Microsemi | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | تحقيق |
 |
APT14050JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 | تحقيق |
|
APT150GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | تحقيق |
|
APT15D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT15D100KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | تحقيق |
|
APT150GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | تحقيق |
|
APT13GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | تحقيق |
|
APT14M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | تحقيق |
|
APT15D100BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT14F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT14F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
|
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | تحقيق |
|
APT15D120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي