APT150GN60J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT150GN60J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT150GN60J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT150GN60J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT150GN60J
- رقم القطعة:
- APT150GN60J
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 220A 536W SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37782 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT150GN60J.pdf2.APT150GN60J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.85V @ 15V, 150A |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOTOP® |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 536W |
| حزمة / كيس: | ISOTOP |
| اسماء اخرى: | APT150GN60JMI APT150GN60JMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 9.2nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP® |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 25µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 220A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT150GN60J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | تحقيق |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
 |
APT13GP120KG | Microsemi | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | تحقيق |
 |
APT14M100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
 |
APT14F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT15D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D120KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 | تحقيق |
 |
APT14F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
|
APT15D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D100BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT15D100KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | تحقيق |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | تحقيق |
|
APT150GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | تحقيق |
|
APT14M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | تحقيق |
|
APT14050JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 | تحقيق |
|
APT14M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي