Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APT150GN60J
APT150GN60J
APT150GN60J
Modèle de produit:
APT150GN60J
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 220A 536W SOT227
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
37782 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT150GN60J.pdf2.APT150GN60J.pdf
Enquête

introduction

APT150GN60J est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT150GN60J, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT150GN60J par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT150GN60J avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:-
Puissance - Max:536W
Package / Boîte:ISOTOP
Autres noms:APT150GN60JMI
APT150GN60JMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:9.2nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max):25µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):220A
Configuration:Single
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT150GN60J

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Enquête
APT150GN60B2G Image APT150GN60B2G Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Enquête
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 Enquête
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Enquête
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Enquête
APT15D120BG Image APT15D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 Enquête
APT15D120BCTG Image APT15D120BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 Enquête
APT15D120KG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 Enquête
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Enquête
APT150GN60JDQ4 Image APT150GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 Enquête
APT15D100BG Image APT15D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 Enquête
APT15D100BHBG Image APT15D100BHBG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Enquête
APT15D100BCTG Image APT15D100BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Enquête
APT15D100KG Image APT15D100KG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 Enquête
APT150GN60LDQ4G Image APT150GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 220A 536W TO-264L Enquête
APT150GT120JR Image APT150GT120JR Microsemi IGBT 1200V 170A 830W SOT227 Enquête
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Enquête
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Enquête
APT14050JVFR Image APT14050JVFR Microsemi MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 Enquête
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Enquête

Latest Nouvelles