APT15D120BG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT15D120BG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT15D120BG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT15D120BG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT15D120BG
- رقم القطعة:
- APT15D120BG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41254 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT15D120BG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 15A |
| الجهد - انهيار: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-247-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 260ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT15D120BG |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 15A Through Hole TO-247 [B] |
| تكوين الصمام الثنائي: | 250µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2.5V @ 15A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT15D120BG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT15DQ100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D60BCAG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 14A TO247 | تحقيق |
|
APT15D100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT150GN60J | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
 |
APT15D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15DQ100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D100BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | تحقيق |
 |
APT15D60KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220 | تحقيق |
 |
APT15D100KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | تحقيق |
 |
APT15D120KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 | تحقيق |
|
APT150GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | تحقيق |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | تحقيق |
|
APT15D30KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2 | تحقيق |
|
APT15D60BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | تحقيق |
|
APT15D60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D40BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247 | تحقيق |
|
APT15D40KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة