Το 74V2G126STR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74V2G126STR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74V2G126STR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74V2G126STR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74V2G126STR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74V2G126STR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27750 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74V2G126STR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23-8 |
| Σειρά: | 74V |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-23-8 |
| Τύπος εξόδου: | 3-State |
| Αλλα ονόματα: | 497-1305-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Αριθμός Στοιχείων: | 2 |
| Αριθμός Bits ανά στοιχείο: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| λογική Τύπος: | Buffer, Non-Inverting |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Τύπος εισόδου: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 1 Bit per Element 3-State Output SOT-23-8 |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 8mA, 8mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74V2G126 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74V2G126STR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74V1T80STR | STMicroelectronics | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT SOT23-5 | Έρευνα |
 |
74V2GU04STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V1T86STR | STMicroelectronics | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
 |
74V1T86CTR | STMicroelectronics | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT323-5 | Έρευνα |
 |
74V2G05STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G66STR | STMicroelectronics | IC SWITCH DUAL 2X1 SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G384STR | STMicroelectronics | IC BUS SWITCH DUAL HS SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G32STR | STMicroelectronics | IC GATE OR 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G70STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G04STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2T05STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G08STR | STMicroelectronics | IC GATE AND 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2T04STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G02STR | STMicroelectronics | IC GATE NOR 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2T02STR | STMicroelectronics | IC GATE NOR 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2T07STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G00STR | STMicroelectronics | IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G07STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G125STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G14STR | STMicroelectronics | IC INVERTER SCHMITT 3CH SOT23-8 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική