Το 74V2G00STR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74V2G00STR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74V2G00STR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74V2G00STR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74V2G00STR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74V2G00STR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50300 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74V2G00STR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23-8 |
| Σειρά: | 74V |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-23-8 |
| Αλλα ονόματα: | 497-1298-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 7.5ns @ 5V, 50pF |
| λογική Τύπος: | NAND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.5V |
| Logic Level - Υψηλή: | 1.5V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | NAND Gate IC 2 Channel SOT-23-8 |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 2µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 8mA, 8mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74V2G00 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74V2G00STR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74V2G02STR | STMicroelectronics | IC GATE NOR 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
 |
74V1T77STR | STMicroelectronics | IC LATCH SGL D-TYPE SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V1T79STR | STMicroelectronics | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V1T70STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V2G384STR | STMicroelectronics | IC BUS SWITCH DUAL HS SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V1T32STR | STMicroelectronics | IC GATE OR 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V2G05STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G07STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G125STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
 |
74V1T86CTR | STMicroelectronics | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT323-5 | Έρευνα |
|
74V1T86STR | STMicroelectronics | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V2G04STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 3CH 3-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V1T66STR | STMicroelectronics | IC SWITCH 1X1 SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V2G14STR | STMicroelectronics | IC INVERTER SCHMITT 3CH SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G126STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V1T66CTR | STMicroelectronics | IC SWITCH 1X1 SOT323-5 | Έρευνα |
|
74V1T384STR | STMicroelectronics | IC BUS SWITCH SGL HS SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V1T80STR | STMicroelectronics | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT SOT23-5 | Έρευνα |
|
74V2G32STR | STMicroelectronics | IC GATE OR 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
|
74V2G08STR | STMicroelectronics | IC GATE AND 2CH 2-INP SOT23-8 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική