74V2G126STR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74V2G126STR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74V2G126STR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74V2G126STR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74V2G126STR
- Part Number:
- 74V2G126STR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-8
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27750 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74V2G126STR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-8 |
| Seria: | 74V |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | SOT-23-8 |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| Inne nazwy: | 497-1305-6 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 1 Bit per Element 3-State Output SOT-23-8 |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74V2G126 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74V2G126STR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC