SI8261BAD-C-IMR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SI8261BAD-C-IMR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SI8261BAD-C-IMR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SI8261BAD-C-IMR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
SI8261BAD-C-IMR
- Modèle de produit:
- SI8261BAD-C-IMR
- Fabricant:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- La description:
- DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 34843 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI8261BAD-C-IMR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 6.5 V ~ 30 V |
| Tension - Isolement: | 5000Vrms |
| Tension - Forward (Vf) (Typ): | 2.8V (Max) |
| La technologie: | Capacitive Coupling |
| Package composant fournisseur: | 8-LGA (10x12.5) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 5.5ns, 8.5ns |
| Distorsion de largeur d'impulsion (Max): | 28ns |
| Délai de propagation tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-VELGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C |
| Nombre de canaux: | 1 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5) |
| Courant - Sortie crête: | 4A |
| Courant - Sortie Haut, Bas: | 500mA, 1.2A |
| Courant - DC Forward (If) (Max): | 30mA |
| Immunité transitoire au mode commun (min.): | 35kV/µs |
| Agréments: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SI8261BAD-C-IMR
Latest Nouvelles
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète