SI8261BBA-C-IS
Modèle de produit:
SI8261BBA-C-IS
Fabricant:
Energy Micro (Silicon Labs)
La description:
DGTL ISO 1CH GATE DRIVER
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39483 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SI8261BBA-C-IS.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Alimentation:9.4 V ~ 30 V
Tension - Isolement:-
Tension - Forward (Vf) (Typ):2.8V (Max)
La technologie:Capacitive Coupling
Package composant fournisseur:-
Séries:Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ):5.5ns, 8.5ns
Distorsion de largeur d'impulsion (Max):10ns (Typ)
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max):60ns, 50ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:-
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C
Nombre de canaux:1
Type de montage:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:4A Gate Driver Capacitive Coupling 1 Channel
Courant - Sortie crête:4A
Courant - Sortie Haut, Bas:500mA, 1.2A
Courant - DC Forward (If) (Max):30mA
Immunité transitoire au mode commun (min.):35kV/µs
Agréments:CQC, CSA, UR, VDE
Email:[email protected]

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