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SI8261BBC-C-ISR
- Modèle de produit:
- SI8261BBC-C-ISR
- Fabricant:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- La description:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 47708 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI8261BBC-C-ISR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 9.4 V ~ 30 V |
| Tension - Isolement: | 3750Vrms |
| Tension - Forward (Vf) (Typ): | 2.8V (Max) |
| La technologie: | Capacitive Coupling |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 5.5ns, 8.5ns |
| Distorsion de largeur d'impulsion (Max): | 28ns |
| Délai de propagation tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | 336-5208-2 SI8261BBC-C-ISR-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C |
| Nombre de canaux: | 1 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Courant - Sortie crête: | 4A |
| Courant - Sortie Haut, Bas: | 500mA, 1.2A |
| Courant - DC Forward (If) (Max): | 30mA |
| Immunité transitoire au mode commun (min.): | 35kV/µs |
| Agréments: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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