SI8261BAD-C-IMR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI8261BAD-C-IMR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI8261BAD-C-IMR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI8261BAD-C-IMR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI8261BAD-C-IMR
- Número de pieza:
- SI8261BAD-C-IMR
- Fabricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descripción:
- DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 34843 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI8261BAD-C-IMR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 6.5 V ~ 30 V |
| Voltaje - Aislamiento: | 5000Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico): | 2.8V (Max) |
| Tecnología: | Capacitive Coupling |
| Paquete del dispositivo: | 8-LGA (10x12.5) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 5.5ns, 8.5ns |
| Ancho de pulso Distorsión (máx.): | 28ns |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VELGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| número de canales: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5) |
| Corriente - Salida Pico: | 4A |
| Actual - salida alta, bajo: | 500mA, 1.2A |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.): | 30mA |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min): | 35kV/µs |
| aprobaciones: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI8261BAD-C-IMR
Latest Noticias
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo