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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SCT30N120
SCT30N120
SCT30N120
Modèle de produit:
SCT30N120
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29353 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.SCT30N120.pdf2.SCT30N120.pdf3.SCT30N120.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max):+25V, -10V
La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur:HiP247™
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 20A, 20V
Dissipation de puissance (max):270W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:497-14960
Température de fonctionnement:-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):20V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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